La physique des semi-conducteurs et leurs applications
Fiche de révision · Physique-Chimie · Term
L'essentiel du cours
Chapitre 1 : Des bandes d'énergie pour classer les matériaux
Un semi-conducteur possède un gap d'énergie intermédiaire (≈ 1 eV) qui permet de contrôler la conduction.
Chapitre 2 : Créer des porteurs de charge majoritaires
Doper un semi-conducteur, c'est remplacer quelques atomes (1 sur 10^6) pour imposer des électrons ou des trous majoritaires.
Chapitre 3 : La diode : un sens passant, un sens bloqué
Une diode ne laisse passer le courant que si la tension appliquée dépasse la tension de seuil (≈ 0,6 V pour le silicium).
Chapitre 4 : Des semi-conducteurs dans notre quotidien
La jonction PN est au cœur de la conversion lumière ↔ électricité (LED, panneaux solaires) et de la logique électronique (transistors).
Teste-toi · 8 questions
1.Quel est l'ordre de grandeur du gap d'énergie du silicium ?
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Réponse : 1,1 eV
Le silicium possède un gap de 1,1 eV, intermédiaire entre conducteurs (gap quasi nul) et isolants (gap > 5 eV).
2.Dans un semi-conducteur intrinsèque à température ambiante, les porteurs de charge sont :
- A.aucun porteur de charge
- B.uniquement des électrons libres
- C.des électrons et des trous en quantités égales
- D.uniquement des trous
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Réponse C : des électrons et des trous en quantités égales
L'agitation thermique crée autant d'électrons dans la bande de conduction que de trous dans la bande de valence.
3.Le dopage de type N d'un semi-conducteur consiste à introduire des atomes :
- A.accepteurs d'électrons (colonne 13)
- B.donneurs d'électrons (colonne 15)
- C.de la colonne 18
- D.métalliques comme le cuivre
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Réponse B : donneurs d'électrons (colonne 15)
Les atomes de la colonne 15 (P, As) possèdent 5 électrons de valence ; le 5e devient un électron libre, d'où le type N.
4.Dans une jonction PN polarisée en direct, la zone de déplétion :
- A.disparaît totalement sans seuil
- B.diminue
- C.augmente
- D.reste identique
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Réponse B : diminue
La tension directe réduit le champ interne et la largeur de la zone de déplétion, permettant le passage du courant au-delà du seuil.
5.Quelle est la tension de seuil typique d'une diode au silicium ?
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Réponse : 0,6 V
Pour le silicium, la barrière de potentiel de la jonction PN vaut environ 0,6 à 0,7 V ; c'est la tension minimale pour rendre la diode passante.
6.Une LED émet de la lumière grâce à :
- A.la recombinaison d'un électron et d'un trou
- B.la réflexion sur le boîtier
- C.la diffusion des atomes dopants
- D.l'effet Joule dans la résistance interne
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Réponse A : la recombinaison d'un électron et d'un trou
La recombinaison radiative électron-trou libère l'énergie du gap sous forme d'un photon.
7.Dans une cellule photovoltaïque, le rôle de la jonction PN est de :
- A.séparer les charges créées par les photons
- B.absorber uniquement les infrarouges
- C.augmenter la température
- D.bloquer la lumière
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Réponse A : séparer les charges créées par les photons
Le champ électrique interne de la zone de déplétion sépare les paires électron-trou photo-créées, produisant un courant.
8.Un transistor est principalement utilisé comme :
- A.générateur de tension
- B.résistance variable passive
- C.capteur de température
- D.interrupteur commandé ou amplificateur
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Réponse D : interrupteur commandé ou amplificateur
Le transistor permet de commander un courant fort par un courant faible : il sert d'interrupteur rapide (logique) ou d'amplificateur (analogique).